CNY 70
CNY70
El Sensor Óptico reflexivo con salida a Transistor.
Descripción.
El CNY70 es un sensor óptico reflexivo que tiene una construcción compacta dónde el emisor de luz y el receptor se colocan en la misma dirección para detectar la presencia de un objeto utilizando la reflexión del infrarrojo sobre el objeto. La longitud de onda de trabajo es 950nm. El detector consiste en un fototransistor.
Características .
La construcción compacta con distancia de del centro-a-centro de 0.1 ' (pulgadas)
No necesita ningún ambiente especial
Señal de salida alta
El coeficiente de temperatura bajo
Detector provista de filtro óptico
El ratio de corriente de transferencia (CTR) típico es del 5%
Aplicaciones.
Escáner optoelectrónico y detector de movimiento de objetos, es decir, sensor de índice, lectura de discos codificados etc., (codificador optoelectrónico montado como sensor de cambio de marcha).
Nuestras notas de aplicaciones:
Como ya hemos visto el CNY70 tiene cuatro pines de conexión que se corresponden
con el emisor, colector del transistor y al ánodo y cátodo del diodo emisor, en la figura
de las vistas donde se indica “Área Marcada”, se muestra la inscripción con letras blancas del fabricante. Se pueden utilizar cualquiera de los siguientes montajes para su utilización que permiten obtener a la salida un nivel alto o un nivel bajo respectivamente
cuando están activados por la reflexión del haz infrarrojo.
Circuitos de aplicación.
El circuito (a) entrega a la salida un nivel bajo cuando no refleja el haz infrarrojo y un
nivel alto cuando encuentra un material sobre el que refleja el haz. El circuito (b)
entrega un nivel alto cuando el haz no refleja y un nivel bajo cuando se detecta un
material reflectante. Si la señal se quiere introducir a un microcontrolador es
conveniente hacer pasar las salidas a través de un circuito trigger Schmitt que conforme
las señales.
Otra posibilidad es conectar la salida a una entrada analógica. De este modo, mediante
un conversor A/D se pueden obtener distintos valores. Esto permite la detección
dinámica de blanco y negro (muy útil cuando el recorrido presenta alteraciones en la
iluminación). Pero también, si empleamos el sensor con objetos de distintos colores o
escalas de grises, establecer un mecanismo para la detección de los mismos,
determinando los valores marginales que separan unos colores de otros. Esto permite
emplear el sensor para alguna aplicación donde la detección del color sea necesaria.
Nuestra aplicación será la (a).
La corriente que circulará por el diodo emisor será:
I = (Vcc – 1.25)/ R
I= (9 - 1.25)/ 0.22K = 35.22 mA.
I= (6 – 1.25)/0.22K = 21.59 mA.
Siempre menores de 50 mA, que es el valor máximo.
La corriente que circulará por el transistor será:
I = (Vcc – 0.3)/R.
I = ( 9 – 0.3)/ 10K = 0.87 mA.
I = ( 6 – 0.3)/ 10K = 0.57 mA.
Valores aceptables y siempre mayores que el mínimo y menores que el máximo.
En nuestro móvil irán colocados así:
Saldrán cuatro cables por cada sensor hacia la placa base donde habrá unos conectores que tendrán soldados a sus terminales las resistencias y las tomas de tensión.
La situación de los sensores respecto el suelo será de una separación de entre 1 a 2 mm.
Tablas de características.
Indicaciones de Medida .
Código |
Distancia del sensor |
Comentarios |
CNY70 |
0,3 mm |
|
Valores máximos absolutos .
Entrada ( Emisor) |
||||
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Valor |
Unidades |
Tensión Inversa |
|
VR |
5 |
V |
Corriente Directa |
|
IF |
50 |
mA |
Corriente directa de Sobretensión |
Tp< 10 ms |
IFSM |
3 |
A |
Disipación de Potencia |
Tamb £ 25ºC |
PV |
100 |
mW |
Temperatura de la unión |
|
Tj |
100 |
ºC |
Salida (Detector) .
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Valor |
Unidades |
Tensión Colector Emisor |
|
VCEO |
32 |
V |
Tensión Colector Emisor |
|
VECO |
7 |
V |
Corriente de Colector |
|
IC |
50 |
mA |
Disipación de Potencia |
Tamb £ 25ºC |
PV |
100 |
mW |
Temperatura de la unión |
|
Tj |
100 |
ºC |
Acoplamientos.
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Valor |
Unidades |
Disipación total del potencia |
Tamb £ 25ºC |
Ptot |
200 |
mW |
Rango de temperatura ambiente |
|
Tamb |
-55 a +85 |
ºC |
Rango de temperatura de almacenamiento |
|
Tstg |
-55 a + 100 |
ºC |
Temperatura de soldadura |
|
Tsd |
260 |
ºC |
Características Eléctricas (Tamb = 25ºC)
Entrada ( Emisor).
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Min |
Typ |
Max |
Unidades |
Corriente Directa |
IF = 50 mA |
VF |
|
1.25 |
1.6 |
V |
Salida ( Detector)
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Min |
Typ |
Max |
Unidades |
Tensión Colector Emisor |
IC = 1mA |
VCEO |
32 |
|
|
V |
Tensión Colector Emisor |
IE = 100 mA |
VECO |
5 |
|
|
V |
Corriente de fuga |
VCE = 20V. IF =0, E=0 |
ICEO |
|
|
200 |
nA |
Acoplamiento
Parámetro |
Condiciones de Test |
Símbolo |
Min |
Typ |
Max |
Unidades |
Corriente de Colector |
VCE = 5V, IF = 20 mA. D=0.3 mm (figura 1) |
IC (1) |
0.3 |
1.0 |
|
mA |
Corriente cruzada de |
VCE = 5V. IF =20 (figura 1) |
ICX (2) |
|
|
600 |
nA |
Tensión Colector Emisor de saturación |
IF = 20 mA. IC = 0,1 mA, d=0.3 mm (figura1) |
VCesat(1) |
|
|
0.3 |
V |
(1) Medido con ‘la tarjeta de prueba neutra de Kodak’ el lado blanco con 90% de difusor reflectante |
||||||
(2) Medido sin medio refractor |
Figura 1.- Circuito de Test .
Características Típicas (Tamb = 25ºC , si no se especifica otra) .
Figura 2.- Disipación total de potencia vc. A temperatura ambiente |
Figura 5.- Corriente de colector vs. Corriente directa |
Figura 3.- Corriente directa vs. Tensión directa |
Figura 6.- Corriente de colector vs. Tensión Colector Emisor |
Figura 4.- Relación de transferencia de corriente relativa vs. Temperatura ambiente |
Figura 7 .- Relación de transferencia de corriente vs. Corriente directa. |
Figura 8.- Relación de corriente de transferencia vs. Tensión Colector Emisor |
Figura 10.- Intensidad Radiante Relativa/ Corriente de Colector vs. Separación |
Figura 9.- Corriente de Colector vs. Distancia |
|
Figura 11.- Relación de corriente de colector vs. Separación |
Dimensiones del CNY70 en mm .